此外，思科通过LiF/HCl原位生成HF合成的Ti3C2Tx的酸化处理比原始处理或碱性处理能够提高初始容量。
4.经典图片解析再结晶晶粒内部是没有位错的，打造而其周围可能具有很高的位错密度，且一般成等轴状。如果应变速率越小，物联网材料变形的时间较多，物联网再结晶有充分的时间发生，而在较大的应变速率下，虽然材料内部贮存了一定的变性能，但是由于应变时间短，再结晶来不及发生。
图1 锻造TNM合金的DefRex图（笔者数据）再结晶涉及到大角度晶界的迁移，用平所以再结晶晶粒通常被大角度晶界所包裹，用平利用这一点就可以判断某晶粒是否为再结晶晶粒。回复一般带来相对均匀的微观结构变化，台明一般不涉及大角晶界（HAGBs）在变形晶粒之间的迁移。稳态再结晶晶粒尺寸(DS)与初始晶粒尺寸无关，布完而是与决定稳态流变应力的T和ε有关。
在储存能量的驱动下，整版HAGBs的形成和迁移在变形材料中形成新的晶粒结构，这个过程叫做再结晶。低的γSFE会促进这种离解反应，思科阻碍位错的攀移和交叉滑移，即延缓DRV。
2.3几何动态再结晶(GDRX)变形晶粒伸长，打造局部呈锯齿状，打造但在大应变变形过程中仍可明显观察到，除非晶粒厚度低于1-2亚晶粒尺寸，此时发育的锯齿状被剪断，形成含HAGBs的等轴晶粒。
3.4第二相粒子众所周知，物联网第二相颗粒在再结晶过程中起着很大的作用。据报道，用平LiF中可溶解多达0.6LiH，形成LiH0.6F0.4。
这些特性有利于Li+的传输，台明并解释了为什么离子绝缘体（如LiF）被认为是SEI的有利成分。对于图1a中的所有HCE-SEI样品，布完与LCE对应物的显著区别是出现了额外的宽凸点，这应该是非晶相或纳米微晶引起的。
整版（b）暴露60 分钟后毛细管中所含SEI样品的照片。图2d中的这些照片显示，思科在暴露后1分钟内，颜色开始发生变化。
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